CZ Silicio-Oblato

Priskribo

CZ Single Crystal Silicon Wafer estas tranĉita el unukristala silicia ingoto tirita per Czochralski CZ-kreskmetodo, kiu estas plej vaste uzata por silicia kristala kresko de grandaj cilindraj ingotoj uzataj en la elektronika industrio por fari duonkonduktajn aparatojn.En ĉi tiu procezo, svelta semo de kristala silicio kun precizaj orientiĝaj toleremoj estas enmetita en la fanditan banon de silicio, kies temperaturo estas precize kontrolata.La semkristalo estas malrapide tirita supren de la fandado kun tre kontrolita rapideco, la kristala solidiĝo de atomoj de likva fazo okazas ĉe interfaco, la semkristalo kaj la krisolo estas turnataj en kontraŭaj direktoj dum tiu retirprocezo, kreante grandan unuopaĵon. kristala silicio kun la perfekta kristala strukturo de la semo.

Danke al la magneta kampo aplikita al la norma CZ-ingotirado, Magnetkampo-induktita Czochralski MCZ unukristala silicio estas de relative pli malalta malpureckoncentriĝo, pli malalta oksigennivelo kaj dislokiĝo, kaj unuforma resistiveca vario kiu funkcias bone en altteknologiaj elektronikaj komponentoj kaj aparatoj. fabrikado en elektronikaj aŭ fotovoltaaj industrioj.

Livero

CZ aŭ MCZ Single Crystal Silicon Wafer n-tipa kaj p-tipa kondukteco ĉe Western Minmetals (SC) Corporation povas esti liveritaj en grandeco de 2, 3, 4, 6, 8 kaj 12 coloj de diametro (50, 75, 100, 125, 150, 200 kaj 300mm), orientiĝo <100>, <110>, <111> kun surfaca finaĵo de lapita, gravurita kaj polurita en pako de ŝaŭma skatolo aŭ kasedo kun kartona skatolo ekstere.

Enketo nun

Detaloj

Etikedoj

Teknika Specifo

CZ Silicio-Oblato

CZ Single Crystal Silicon Wafer estas la baza materialo en la produktado de integraj cirkvitoj, diodoj, transistoroj, diskretaj komponantoj, uzataj en ĉiuj specoj de elektronikaj ekipaĵoj kaj duonkonduktaĵoj, same kiel substrato en epitaksia prilaborado, SOI-obla substrato aŭ duon-izola komponaĵa obla fabrikado, precipe granda. diametro de 200mm, 250mm kaj 300mm estas optimuma por fabrikado de ultra tre integraj aparatoj.Single Crystal Silicon ankaŭ estas uzata por sunĉeloj en grandaj kvantoj de la fotovoltaeca industrio, kiu preskaŭ perfekta kristala strukturo donas la plej altan lum-al-elektran konvertan efikecon.

Ne.	Eroj	Norma Specifo
1	Grandeco	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Diametro mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	150±0,5	200±0,5	300±0,5
3	Kondukto	P aŭ N aŭ ne-dopata
4	Orientiĝo	<100>, <110>, <111>
5	Dikeco μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 aŭ laŭbezone
6	Rezisteco Ω-cm	≤0.005, 0.005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 ktp
7	RRV maks	8%, 10%, 12%
8	Primara Plata/Longeco mm	Kiel SEMI-normo aŭ laŭbezone
9	Malĉefa Plato/Longeco mm	Kiel SEMI-normo aŭ laŭbezone
10	TTV μm max	10	10	10	10	10	10
11	Arko & Varpo μm max	30	30	30	30	30	30
12	Surfaca Fino	Kiel tranĉita, L/L, P/E, P/P
13	Pakado	Ŝaŭma skatolo aŭ kasedo interne, kartona skatolo ekstere.

Simbolo	Si
Atoma Nombro	14
Atoma Pezo	28.09
Elementa Kategorio	Metaloido
Grupo, Periodo, Bloko	14, 3, P
Kristala strukturo	Diamanto
Koloro	Malhela griza
Fandpunkto	1414°C, 1687,15 K
Bolpunkto	3265°C, 3538,15 K
Denso je 300K	2,329 g/cm³
Eneca resistiveco	3.2E5 Ω-cm
CAS-Numero	7440-21-3
EC Nombro	231-130-8

CZ aŭ MCZ Single Crystal Silicon Wafern-tipa kaj p-tipa kondukteco ĉe Western Minmetals (SC) Corporation povas esti liveritaj en grandeco de 2, 3, 4, 6, 8 kaj 12 coloj de diametro (50, 75, 100, 125, 150, 200 kaj 300 mm), orientiĝo <100>, <110>, <111> kun surfaca finaĵo de kiel tranĉita, lapita, gravurita kaj polurita en pako de ŝaŭma skatolo aŭ kasedo kun kartona skatolo ekstere.