FZ NTD Silicio-Oblato

Priskribo

FZ-NTD Silicio-Oblato, konata kiel Float-Zone Neutron Transmutation Doped Silicon Wafer.Senoksigeno, alta pureco kaj plej alta resistiveca silicio povas esti akirita by Flot-zono FZ (Zona-Flosanta) kristala kresko, High resistiveco FZ-siliciokristalo ofte estas dopita per Neutron Transmutation Doping (NTD) procezo, en kiu neŭtrona surradiado sur nedopita flosila zono silicio por fari silicioizotopojn kaptitajn kun neŭtronoj kaj tiam kadukiĝi en la deziratajn dopantojn por atingi la dopcelon.Tra alĝustigo de la nivelo de neŭtrona radiado, la resistiveco povas esti ŝanĝita sen enkonduko de eksteraj dopantoj kaj tial garantiante materialan purecon.FZ NTD silicioblatoj ( Float Zone Neutron Transmutation Doping Silicon) havas superajn teknikajn trajtojn de unuforma dopa koncentriĝo kaj unuforma radiala resistiveca distribuo, plej malaltaj malpurecniveloj,kaj alta malplimulta aviad-kompanio vivdaŭro.

Livero

Kiel merkata gvida provizanto de NTD-silicio por promesplenaj potencaj aplikoj, kaj sekvante la kreskantajn postulojn por altkvalitaj oblatoj, supera FZ NTD-silicio-oblato.ĉe Western Minmetals (SC) Corporation povas esti ofertita al niaj klientoj tutmonde en diversaj grandecoj de 2″, 3″, 4″, 5″ kaj 6″ en diametro (50mm, 75mm, 100mm, 125mm kaj 150mm) kaj larĝa gamo de resistiveco. 5 ĝis 2000 ohm.cm en <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0-0> orientiĝoj kun tiel tranĉita, lapita, gravurita kaj polurita surfaca finpoluro en pakaĵo de ŝaŭma skatolo aŭ kasedo , aŭ kiel personecigita specifo al la perfekta solvo.

Enketo nun

Detaloj

Etikedoj

Teknika Specifo

FZ NTD Silicio-Oblato

Kiel merkata gvida provizanto de FZ NTD-silicio por promesplenaj potencaj aplikoj, kaj sekvante la kreskantajn postulojn por altkvalitaj oblatoj, supera FZ NTD-silicia oblato ĉe Western Minmetals (SC) Corporation povas esti ofertita al niaj klientoj tutmonde en diversaj grandecoj de 2. ″ al 6″ en diametro (50, 75, 100, 125 kaj 150mm) kaj larĝa gamo de resistiveco 5 ĝis 2000 ohm-cm en <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0- 0> orientiĝoj kun lapita, gravurita kaj polurita surfaca finaĵo en pako de ŝaŭma skatolo aŭ kasedo, kartona skatolo ekstere aŭ kiel personecigita specifo al la perfekta solvo.

Ne.	Eroj	Norma Specifo
1	Grandeco	2"	3"	4"	5"	6"
2	Diametro	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	125±0,5	150±0,5
3	Kondukto	n-tipo	n-tipo	n-tipo	n-tipo	n-tipo
4	Orientiĝo	<100>, <111>, <110>
5	Dikeco μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 aŭ laŭbezone
6	Rezisteco Ω-cm	36-44, 44-52, 90-110, 100-250, 200-400 aŭ laŭbezone
7	RRV maks	8%, 10%, 12%
8	TTV μm max	10	10	10	10	10
9	Arko/Varpo μm max	30	30	30	30	30
10	Kondukula vivdaŭro μs	>200，>300，>400 aŭ laŭbezone
11	Surfaca Fino	Kiel tranĉita，Lapis，Polurita
12	Pakado	Ŝaŭma skatolo interne, kartona skatolo ekstere.

Baza Materiala Parametro

Simbolo	Si
Atoma Nombro	14
Atoma Pezo	28.09
Elementa Kategorio	Metaloido
Grupo, Periodo, Bloko	14, 3, P
Kristala strukturo	Diamanto
Koloro	Malhela griza
Fandpunkto	1414°C, 1687,15 K
Bolpunkto	3265°C, 3538,15 K
Denso je 300K	2,329 g/cm³
Eneca resistiveco	3.2E5 Ω-cm
CAS-Numero	7440-21-3
EC Nombro	231-130-8

FZ-NTD Silicio-Oblatoestas plej grava por aplikoj en alta potenco, detektilteknologioj kaj en duonkonduktaĵaparatoj kiuj devas funkcii en ekstremaj kondiĉoj aŭ kie malalta resistiveca vario trans la oblato estas postulata, kiel ekzemple pordego-malŝaltita tiristoro GTO, senmova indukta tiristoro SITH, giganto. transistoro GTR, izoli-pordega dupolusa transistoro IGBT, ekstra HV-dioda PIN.FZ NTD n-tipa silicioblato estas ankaŭ kiel ĉefa funkcia materialo por diversaj frekvenctransformiloj, rektifiloj, grandpotencaj kontrolelementoj, novaj potencaj elektronikaj aparatoj, fotoelektronikaj aparatoj, silicia rektifilo SR, silicia kontrolo SCR, kaj optikaj komponantoj kiel lensoj kaj fenestroj. por terahercaj aplikoj.