Galia Fosfido GaP

Priskribo

Galium Phosphide GaP, grava duonkonduktaĵo de unikaj elektraj ecoj kiel aliaj III-V kunmetitaj materialoj, kristaliĝas en la termodinamike stabila kuba ZB-strukturo, estas oranĝflava duontravidebla kristala materialo kun nerekta bendinterspaco de 2.26 eV (300K), kio estas sintezita de 6N 7N alta pureca galio kaj fosforo, kaj kreskigita en ununuran kristalon per Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) tekniko.Galio-fosfura kristalo estas dopita sulfuro aŭ telurio por akiri n-tipan duonkonduktaĵon, kaj zinko dopita kiel p-tipa kondukteco por plue fabriki en deziratan oblaton, kiu havas aplikojn en optika sistemo, elektronikaj kaj aliaj optoelektronikaj aparatoj.Ununura Crystal GaP-oblato povas esti preta Epi-Ready por via epitaksia aplikaĵo LPE, MOCVD kaj MBE.Altkvalita unukristala Galiofosfido GaP-oblato p-tipo, n-tipo aŭ nedopita kondukteco ĉe Western Minmetals (SC) Corporation povas esti ofertita en grandeco de 2″ kaj 3″ (50mm, 75mm diametro), orientiĝo <100>, <111 > kun surfaca finpoluro de tiel tranĉita, polurita aŭ epi-preta procezo.

Aplikoj

Kun malalta kurento kaj alta efikeco en lumelsendado, galiofosfido GaP-oblato taŭgas por optikaj ekransistemoj kiel malmultekostaj ruĝaj, oranĝaj kaj verdaj lum-elsendaj diodoj (LED-oj) kaj kontraŭlumo de flava kaj verda LCD ktp kaj LED-fritoj fabrikado kun malalta ĝis meza brilo, GaP ankaŭ estas vaste adoptita kiel la baza substrato por la infraruĝaj sensiloj kaj monitoraj fotiloj fabrikado.

Enketo nun

Detaloj

Etikedoj

Teknika Specifo

Galia Fosfido GaP

Altkvalita unukristala Gallium Phosphide GaP-oblato aŭ substrata p-tipa, n-speca aŭ nedopita kondukteco ĉe Western Minmetals (SC) Corporation povas esti ofertita en grandeco de 2″ kaj 3″ (50mm, 75mm) en diametro, orientiĝo <100> , <111> kun surfaca finaĵo de kiel tranĉita, lapita, gravurita, polurita, epi-preta prilaborita en unuobla ujo sigelita en aluminia kunmetita sako aŭ kiel personecigita specifo al la perfekta solvo.

Ne.	Eroj	Norma Specifo
1	GaP Grandeco	2"
2	Diametro mm	50,8 ± 0,5
3	Kreska Metodo	LEC
4	Kondukto Tipo	P-tipo/Zn-dopata, N-speca/(S, Si, Te)-dopata, Sen-dopata
5	Orientiĝo	<1 1 1> ± 0,5°
6	Dikeco μm	(300-400) ± 20
7	Rezisteco Ω-cm	0,003-0,3
8	Orientiĝo Plata (OF) mm	16±1
9	Identigo Plata (IF) mm	8±1
10	Halo Movebleco cm2/Vs min	100
11	Koncentriĝo de portanto cm^-3	(2-20) E17
12	Dislokiĝo Denso cm^-2maks	2.00E+05
13	Surfaca Fino	P/E, P/P
14	Pakado	Ununura ujo sigelita en aluminia kunmetita sako, kartona skatolo ekstere

Lineara Formulo	GaP
Molekula pezo	100.7
Kristala strukturo	Zinka miksaĵo
Aspekto	Oranĝa solido
Fandpunkto	N/A
Bolpunkto	N/A
Denso je 300K	4,14 g/cm³
Energia Gap	2,26 eV
Eneca resistiveco	N/A
CAS-Numero	12063-98-8
EC Nombro	235-057-2

Galio-fosfida GaP-Oblato, kun malalta kurento kaj alta efikeco en lumelsendado, taŭgas por optikaj ekranaj sistemoj kiel malmultekostaj ruĝaj, oranĝaj kaj verdaj lum-elsendaj diodoj (LEDoj) kaj kontraŭlumo de flava kaj verda LCD ktp kaj LED-fritoj fabrikado kun malalta ĝis meza. brileco, GaP ankaŭ estas vaste adoptita kiel la baza substrato por la fabrikado de infraruĝaj sensiloj kaj monitoraj fotiloj.