India Fosfido InP

Priskribo

India Fosfido InP,CAS No.22398-80-7, frostopunkto 1600 °C, binara kunmetita duonkonduktaĵo de III-V-familio, vizaĝ-centrita kuba "zinka miksaĵo" kristala strukturo, identa al la plej multaj el la III-V duonkonduktaĵoj, estas sintezita de 6N 7N alta pureca indio kaj fosforo elemento, kaj kreskigita en ununuran kristalon per LEC aŭ VGF-tekniko.India fosfida kristalo estas dopita por esti n-speca, p-speca aŭ duon-izola kondukteco por plia elfarado de oblatoj ĝis 6″ (150 mm) diametro, kiu prezentas sian rektan bendinterspacon, superan altan moviĝeblon de elektronoj kaj truoj kaj efikan termikon. konduktiveco.Indium Phosphide InP Wafer prime aŭ testa grado ĉe Western Minmetals (SC) Corporation povas esti ofertita kun p-tipa, n-speca kaj duon-izola kondukteco en grandeco de 2" 3" 4" kaj 6" (ĝis 150mm) diametro, orientiĝo <111> aŭ <100> kaj dikeco 350-625um kun surfaca finaĵo de akvafortita kaj polurita aŭ Epi-preta procezo.Dume India Fosfida Unukristala ingoto 2-6″ estas disponebla laŭ peto.Polikristala India Fosfido InP aŭ Plurkristala InP ingoto en grandeco de D(60-75) x Longo (180-400) mm de 2.5-6.0kg kun portanta koncentriĝo de malpli ol 6E15 aŭ 6E15-3E16 ankaŭ haveblas.Ajna personigita specifo disponebla laŭ peto por atingi la perfektan solvon.

Aplikoj

Indium Phosphide InP-oblato estas vaste uzata por la fabrikado de optoelektronikaj komponantoj, alt-potencaj kaj altfrekvencaj elektronikaj aparatoj, kiel substrato por epitaksiaj indio-galio-arsenido (InGaAs) bazitaj opto-elektronikaj aparatoj.India Fosfido ankaŭ estas en la fabrikado por ekstreme promesplenaj lumfontoj en optika fibro komunikadoj, mikroondaj energifontaj aparatoj, mikroondaj amplifiloj kaj pordegaj FET-aparatoj, altrapidaj moduliloj kaj foto-detektiloj, kaj satelita navigado ktp.

Enketo nun

Detaloj

Etikedoj

Teknika Specifo

India Fosfido InP

India Fosfido Ununura KristaloOblato (InP-kristala ingoto aŭ Oblato) ĉe Western Minmetals (SC) Corporation povas esti ofertita kun p-tipa, n-speca kaj duon-izola kondukteco en grandeco de 2" 3" 4" kaj 6" (ĝis 150mm) diametro, orientiĝo <111> aŭ <100> kaj dikeco 350-625um kun surfaca finaĵo de akvafortita kaj polurita aŭ Epi-preta procezo.

India Fosfido Polikristalinoaŭ Multi-Crystal ingoto (InP poly ingot) en grandeco de D (60-75) x L (180-400) mm de 2.5-6.0kg kun portanta koncentriĝo de malpli ol 6E15 aŭ 6E15-3E16 estas havebla.Ajna personigita specifo disponebla laŭ peto por atingi la perfektan solvon.

Ne.	Eroj	Norma Specifo
1	India Fosfido Ununura Kristalo	2"	3"	4"
2	Diametro mm	50,8±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Kreska Metodo	VGF	VGF	VGF
4	Kondukto	P/Zn-dopata, N/(S-dopata aŭ ne-dopata), Duonizola
5	Orientiĝo	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	Dikeco μm	350±25	600±25	600±25
7	Orientiĝo Plata mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Identigo Plata mm	8±1	11±1	18±1
9	Movebleco cm2/Vs	50-70, >2000, (1.5-4)E3
10	Koncentriĝo de portanto cm-3	(0,6-6)E18, ≤3E16
11	TTV μm max	10	10	10
12	Arko μm max	10	10	10
13	Varpo μm max	15	15	15
14	Dislokiĝo Denso cm-2 max	500	1000	2000
15	Surfaca Fino	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Pakado	Ununura ujo sigelita en aluminia kunmetaĵsako.

Ne.	Eroj	Norma Specifo
1	India Fosfura Ingoto	Polikristala aŭ Plurkristala Ingoto
2	Kristala Grandeco	D (60-75) x L (180-400) mm
3	Pezo per Kristala Ingoto	2.5-6.0Kg
4	Movebleco	≥3500 cm²/VS
5	Koncentriĝo de portanta	≤6E15, aŭ 6E15-3E16 cm^-3
6	Pakado	Ĉiu InP-kristala ingoto estas en sigelita plasta sako, 2-3 ingotoj en unu kartona skatolo.

Lineara Formulo	InP
Molekula pezo	145,79
Kristala strukturo	Zinka miksaĵo
Aspekto	Kristalino
Fandpunkto	1062 °C
Bolpunkto	N/A
Denso je 300K	4,81 g/cm³
Energia Gap	1.344 eV
Eneca resistiveco	8.6E7 Ω-cm
CAS-Numero	22398-80-7
EC Nombro	244-959-5

India Fosfida InP Oblatoestas vaste uzata por la fabrikado de optoelektronikaj komponantoj, alt-potencaj kaj altfrekvencaj elektronikaj aparatoj, kiel substrato por epitaksiaj indio-galio-arsenido (InGaAs) bazitaj opto-elektronikaj aparatoj.India Fosfido ankaŭ estas en la fabrikado por ekstreme promesplenaj lumfontoj en optika fibro komunikadoj, mikroondaj energifontaj aparatoj, mikroondaj amplifiloj kaj pordegaj FET-aparatoj, altrapidaj moduliloj kaj foto-detektiloj, kaj satelita navigado ktp.