Galio Arsenido GaAs

Priskribo

Galium ArsenidoGaAs Estas rekta bando breĉo kunmetaĵo duonkonduktaĵo de grupo III-V sintezita de almenaŭ 6N 7N alta pureco galio kaj arseniko elemento, kaj kreskita kristalo de VGF aŭ LEC procezo de alta pureco polikristalino galium arsenido, griza koloro aspekto, kubaj kristaloj kun zinko-blenda strukturo.Kun la dopado de karbono, silicio, teluro aŭ zinko por akiri n-tipan aŭ p-tipan kaj duon-izolan konduktivecon respektive, cilindra InAs-kristalo povas esti tranĉita kaj fabrikita en malplenan kaj oblaton en tiel tranĉita, gravurita, polurita aŭ epika. -preta por epitaksia kresko de MBE aŭ MOCVD.Galium Arsenide-oblato estas ĉefe uzata por fabriki elektronikajn aparatojn kiel infraruĝaj lum-elsendantaj diodoj, laseraj diodoj, optikaj fenestroj, kampefikaj transistoroj FEToj, liniaj de ciferecaj ICoj kaj sunĉeloj.GaAs-komponentoj estas utilaj en ultra-altaj radiofrekvencoj kaj rapida elektronika ŝanĝa apliko, malfort-signalaj plifortigaj aplikoj.Plue, Gallium Arsenide-substrato estas ideala materialo por fabrikado de RF-komponentoj, mikroonda frekvenco kaj monolitaj IC-oj, kaj LED-aparatoj en optikaj komunikadoj kaj kontrolsistemoj por ĝia satura halo-movebleco, alta potenco kaj temperaturstabileco.

Livero

Gallium Arsenide GaAs ĉe Western Minmetals (SC) Corporation povas esti liverita kiel polikristala bulo aŭ unukristala oblato en tiel tranĉitaj, gravuritaj, poluritaj aŭ epi-pretaj oblatoj en grandeco de 2" 3" 4" kaj 6" (50 mm, 75mm, 100mm, 150mm) diametro, kun p-tipo, n-tipo aŭ duon-izola kondukteco, kaj <111> aŭ <100> orientiĝo.La personigita specifo estas por la perfekta solvo al niaj klientoj tutmonde.

Enketo nun

Detaloj

Etikedoj

Teknika Specifo

Galium Arsenido

GaAs

Galio Arsenido GaAsoblatoj estas ĉefe uzataj por fabriki elektronikajn aparatojn kiel infraruĝaj lum-elsendaj diodoj, laseraj diodoj, optikaj fenestroj, kampefikaj transistoroj FEToj, linearaj de ciferecaj ICoj kaj sunĉeloj.GaAs-komponentoj estas utilaj en ultra-altaj radiofrekvencoj kaj rapida elektronika ŝanĝa apliko, malfort-signalaj plifortigaj aplikoj.Plue, Gallium Arsenide-substrato estas ideala materialo por fabrikado de RF-komponentoj, mikroonda frekvenco kaj monolitaj IC-oj, kaj LED-aparatoj en optikaj komunikadoj kaj kontrolsistemoj por ĝia satura halo-movebleco, alta potenco kaj temperaturstabileco.

Ne.	Eroj	Norma Specifo
1	Grandeco	2"	3"	4"	6"
2	Diametro mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	150±0,5
3	Kreska Metodo	VGF	VGF	VGF	VGF
4	Kondukto Tipo	N-Tipo/Si aŭ Te-dopata, P-Tipo/Zn-dopata, Duonizola/Ne-dopata
5	Orientiĝo	(100)±0,5°	(100)±0,5°	(100)±0,5°	(100)±0,5°
6	Dikeco μm	350±25	625±25	625±25	650±25
7	Orientiĝo Plata mm	17±1	22±1	32±1	Noĉo
8	Identigo Plata mm	7±1	12±1	18±1	-
9	Rezisteco Ω-cm	(1-9)E(-3) por p-speco aŭ n-speco, (1-10)E8 por duonizola
10	Moviĝeblo cm2/vs	50-120 por p-speco, (1-2.5) E3 por n-speco, ≥4000 por duon-izola
11	Koncentriĝo de portanto cm-3	(5-50)E18 por p-speco, (0.8-4)E18 por n-speco
12	TTV μm max	10	10	10	10
13	Arko μm max	30	30	30	30
14	Varpo μm max	30	30	30	30
15	EPD cm-2	5000	5000	5000	5000
16	Surfaca Fino	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
17	Pakado	Ununura ujo sigelita en aluminia kunmetaĵsako.
18	Rimarkoj	Mekanika grado GaAs-oblato ankaŭ haveblas laŭ peto.

Lineara Formulo	GaAs
Molekula pezo	144.64
Kristala strukturo	Zinka miksaĵo
Aspekto	Griza kristala solido
Fandpunkto	1400°C, 2550°F
Bolpunkto	N/A
Denso je 300K	5,32 g/cm³
Energia Gap	1.424 eV
Eneca resistiveco	3.3E8 Ω-cm
CAS-Numero	1303-00-0
EC Nombro	215-114-8

Galio Arsenido GaAsĉe Western Minmetals (SC) Corporation povas esti liverita kiel polikristala bulo aŭ unukristala oblato en tiel tranĉitaj, gravuritaj, poluritaj aŭ epi-pretaj oblatoj en grandeco de 2" 3" 4" kaj 6" (50mm, 75mm, 100mm). , 150mm) diametro, kun p-tipo, n-tipo aŭ duon-izola kondukteco, kaj <111> aŭ <100> orientiĝo.La personigita specifo estas por la perfekta solvo al niaj klientoj tutmonde.